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IXFN210N20P Canal N Montaje de chasis 200V 188 A (Tc) 1070W (Tc) SOT-227B
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Cantidad
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1 34.80000 $34.80
10 32.19000 $321.90
30 29.58000 $887.40
100 27.49200 $2,749.20
250 25.23000 $6,307.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN210N20P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN210N20P

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Descripción MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 200V 188 A (Tc) 1070W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFN210N20P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 188 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.5 mOhm a 105 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 255nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1070W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

11:07:45 10/23/2018