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IXFN120N20 Canal N Montaje de chasis 200V 120 A (Tc) 600W (Tc) SOT-227B
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 28.54000 $28.54
10 26.40000 $264.00
30 24.25900 $727.77
100 22.54660 $2,254.66
250 20.69152 $5,172.88
500 19.69260 $9,846.30

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN120N20-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN120N20

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Descripción MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
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Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 200V 120 A (Tc) 600W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFN120N20
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 360nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9100pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 600W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

03:21:00 4/21/2019