Agregar a favoritos
IXFK55N50 Canal N Orificio pasante 500V 55 A (Tc) 625 W (Tc) TO-264AA (IXFK)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 24.55000 $24.55
25 20.86920 $521.73
100 19.39610 $1,939.61

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFK55N50-ND
Copiar   IXFK55N50-ND
Cantidad disponible 198
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IXFK55N50

Copiar   IXFK55N50
Descripción MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
Copiar   MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 55 A (Tc) 625 W (Tc) TO-264AA (IXFK)

Copiar   Canal N Orificio pasante 500V 55 A (Tc) 625 W (Tc) TO-264AA (IXFK)
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X,N)55N50
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 55 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 90 mOhm a 27.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 330nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 625 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

15:34:32 11/15/2018