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IXFK320N17T2 Canal N Orificio pasante 170V 320 A (Tc) 1670 W (Tc) TO-264AA (IXFK)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFK320N17T2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFK320N17T2

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Descripción MOSFET N-CH 170V 320A TO264
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 170V 320 A (Tc) 1670 W (Tc) TO-264AA (IXFK)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)320N17T2
Producto destacado GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie GigaMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 170V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 320 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.2 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 640nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 45000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1670 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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