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IXFK24N100Q3 Canal N Orificio pasante 1000V 24 A (Tc) 1000 W (Tc) TO-264AA (IXFK)
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100 17.95200 $1,795.20

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFK24N100Q3-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFK24N100Q3

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 24 A (Tc) 1000 W (Tc) TO-264AA (IXFK)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFx24N100Q3
Producto destacado Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 440 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 6.5 V a 4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 140nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1000 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Para usar con
  • AD5122ABRUZ10 - Analog Devices Inc. | AD5122ABRUZ10-ND DigiKey Electronics
  • AD5122ABRUZ10
  • Analog Devices Inc.
  • IC DGTL POT 10K 2CH 16-TSSOP
  • Precio unitario $3.84000
  • AD5122ABRUZ10-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

19:52:04 10/23/2018