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IXFK120N65X2 Canal N Orificio pasante 650V 120 A (Tc) 1250W (Tc) TO-264
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10 15.90300 $159.03
25 15.24400 $381.10
100 13.18400 $1,318.40
250 12.77200 $3,193.00
500 11.94800 $5,974.00

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IXFK120N65X2

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Número de pieza del fabricante IXFK120N65X2
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Descripción MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
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Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 120 A (Tc) 1250W (Tc) TO-264

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)120N65X2
Producto destacado 200 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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