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IXFK100N65X2 Canal N Orificio pasante 650V 100 A (Tc) 1040 W (Tc) TO-264
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1 13.20000 $13.20
25 11.10000 $277.50
100 10.20000 $1,020.00
500 8.70000 $4,350.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFK100N65X2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFK100N65X2

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Descripción MOSFET N-CH 650V 100A TO-264
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 100 A (Tc) 1040 W (Tc) TO-264

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)100N65X2
Producto destacado 200 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 4 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1040 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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