Agregar a favoritos
IXFH75N10 Canal N Orificio pasante 100V 75 A (Tc) 300W (Tc) TO-247AD (IXFH)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.48000 $12.48
30 10.22967 $306.89
120 9.23150 $1,107.78
510 7.73451 $3,944.60

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH75N10-ND
Copiar   IXFH75N10-ND
Cantidad disponible 710
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IXFH75N10

Copiar   IXFH75N10
Descripción MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
Copiar   MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 75 A (Tc) 300W (Tc) TO-247AD (IXFH)

Copiar   Canal N Orificio pasante 100V 75 A (Tc) 300W (Tc) TO-247AD (IXFH)
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(H,M,)(67,75)N10
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 75 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20mOhm a 37.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 4mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 260nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

07:16:54 4/22/2019