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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH6N100-ND
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Cantidad disponible 289
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFH6N100

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Descripción MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 6 A (Tc) 180 W (Tc) TO-247AD (IXFH)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(H,M)6N90/100
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 2.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 180 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
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