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IXFH320N10T2 Canal N Orificio pasante 100V 320 A (Tc) 1000W (Tc) TO-247AD (IXFH)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFH320N10T2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFH320N10T2

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Descripción MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 320 A (Tc) 1000W (Tc) TO-247AD (IXFH)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(H,T)320N10T2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, TrenchT2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 320 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 430nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 26000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1000W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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