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IXFB60N80P Canal N Orificio pasante 800V 60 A (Tc) 1250W (Tc) PLUS264™
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFB60N80P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFB60N80P

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Descripción MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 60 A (Tc) 1250W (Tc) PLUS264™

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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, PolarHT™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 140mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS264™
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

13:37:19 4/20/2019