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IXFB110N60P3 Canal N Orificio pasante 600V 110 A (Tc) 1890W (Tc) PLUS264™
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1 17.39000 $17.39
10 15.98000 $159.80
25 15.31800 $382.95
100 13.24800 $1,324.80
250 12.83400 $3,208.50
500 12.00600 $6,003.00
1,000 11.01240 $11,012.40
2,500 10.35000 $25,875.00
5,000 9.93600 $49,680.00

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IXFB110N60P3

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Número de pieza del fabricante IXFB110N60P3
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Descripción MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 110 A (Tc) 1890W (Tc) PLUS264™

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Hojas de datos IXFB110N60P3
Producto destacado 200 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, Polar3™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 56mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 245nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1890W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS264™
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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