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IXFA8N85XHV Canal N Montaje en superficie 850V 8 A (Tc) 200 W (Tc) TO-263HV
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1 2.97000 $2.97
50 2.39260 $119.63
100 2.15330 $215.33
500 1.67476 $837.38
1,000 1.38765 $1,387.65

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA8N85XHV-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFA8N85XHV

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Descripción MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 850V 8 A (Tc) 200 W (Tc) TO-263HV

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFA8N85XHV, IXFP,Q8N85X
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 850V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 850 mOhm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 654pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263HV
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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  • Precio unitario $3.34000
  • IXFY4N85X-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

05:39:47 10/22/2018