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IXFA4N100Q-TRL Canal N Montaje en superficie 1000V 4 A (Tc) 150 W (Tc) TO-263 (IXFA)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA4N100Q-TRLCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFA4N100Q-TRL

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1000V 4 A (Tc) 150 W (Tc) TO-263 (IXFA)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFx4N100Q
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXFA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IXFA4N100Q-TRLCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Tubo ? : IXFA4N100Q-ND
  • Cantidad mínima: 1
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  • Cinta y rollo (TR) ? : IXFA4N100Q-TRLTR-ND
  • Cantidad mínima: 800
  • Cantidad disponible: 800 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 808 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

13:48:52 11/14/2018