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IXFA10N60P Canal N Montaje en superficie 600V 10 A (Tc) 200 W (Tc) TO-263 (IXFA)
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.20000 $3.20
50 2.57400 $128.70
100 2.34520 $234.52
500 1.89904 $949.52
1,000 1.60160 $1,601.60

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFA10N60P-ND
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Cantidad disponible 99
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFA10N60P

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Descripción MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 10 A (Tc) 200 W (Tc) TO-263 (IXFA)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P)10N60P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 740 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1610pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXFA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

09:04:26 10/18/2018