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SPW16N50C3FKSA1 Canal N Orificio pasante 560V 16 A (Tc) 160 W (Tc) PG-TO247-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.13000 $4.13
10 3.71100 $37.11
240 3.08608 $740.66
720 2.54460 $1,832.11
1,200 2.18361 $2,620.33
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPW16N50C3FKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPW16N50C3FKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 560V 16 A (Tc) 160 W (Tc) PG-TO247-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SPW16N50C3
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 560V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 675 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 160 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP000014472
SPW16N50C3
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3IN-ND
SPW16N50C3X
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3XTIN-ND

01:33:34 12/10/2018