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SPU02N60C3BKMA1 Canal N Orificio pasante 650V 1.8 A (Tc) 25 W (Tc) PG-TO251-3
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10 1.13000 $11.30
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPU02N60C3BKMA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPU02N60C3BKMA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 1.8 A (Tc) 25 W (Tc) PG-TO251-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SP(D,U)02N60C3
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ PowerMOSFET 600V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 1.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 80 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres Q67040S4659
SP000015064
SPU02N60C3
SPU02N60C3-ND
SPU02N60C3X
SPU02N60C3XK

17:00:40 10/21/2018