Agregar a favoritos
SPP80P06PHXKSA1 Canal P Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 340 W (Tc) PG-TO220-3-1
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.58000 $3.58
10 3.19700 $31.97
100 2.62140 $262.14
500 2.12272 $1,061.36
1,000 1.79025 $1,790.25

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPP80P06PHXKSA1-ND
Copiar   SPP80P06PHXKSA1-ND
Cantidad disponible 1,502
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SPP80P06PHXKSA1

Copiar   SPP80P06PHXKSA1
Descripción MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Copiar   MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 340 W (Tc) PG-TO220-3-1

Copiar   Canal P Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 340 W (Tc) PG-TO220-3-1
Documentos y medios
Hojas de datos SPB,SPP80P06P H
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 64 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 5.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 173nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5033pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 340 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
También le puede interesar
  • IRF4905PBF - Infineon Technologies | IRF4905PBF-ND DigiKey Electronics
  • IRF4905PBF
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB
  • Precio unitario $1.90000
  • IRF4905PBF-ND
  • IPP80P03P4L04AKSA1 - Infineon Technologies | IPP80P03P4L04AKSA1-ND DigiKey Electronics
  • IPP80P03P4L04AKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
  • Precio unitario $2.39000
  • IPP80P03P4L04AKSA1-ND
  • SUP90P06-09L-E3 - Vishay Siliconix | SUP90P06-09L-E3-ND DigiKey Electronics
  • SUP90P06-09L-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
  • Precio unitario $6.16000
  • SUP90P06-09L-E3-ND
  • IPP120P04P4L03AKSA1 - Infineon Technologies | IPP120P04P4L03AKSA1-ND DigiKey Electronics
  • IPP120P04P4L03AKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
  • Precio unitario $3.04000
  • IPP120P04P4L03AKSA1-ND
  • BMS3003-1E - ON Semiconductor | BMS3003-1EOS-ND DigiKey Electronics
  • BMS3003-1E
  • ON Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 78A
  • Precio unitario $4.17000
  • BMS3003-1EOS-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000441774
SPP80P06P G
SPP80P06P G-ND
SPP80P06P H
SPP80P06P H-ND
SPP80P06PH

17:59:54 11/17/2018