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SPP80P06PHXKSA1 Canal P Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 340 W (Tc) PG-TO220-3-1
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPP80P06PHXKSA1-ND
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Cantidad disponible 2,870
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPP80P06PHXKSA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 80 A (Tc) 340 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos SPB,SPP80P06P H
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23 mOhm a 64 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 5.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 173nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5033pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 340 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000441774
SPP80P06P G
SPP80P06P G-ND
SPP80P06P H
SPP80P06P H-ND
SPP80P06PH
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.74000 $3.74
10 3.34200 $33.42
100 2.74060 $274.06
500 2.21922 $1,109.61
1,000 1.87163 $1,871.63

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08:09:10 9/20/2018