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SPP18P06PHXKSA1 Canal P Orificio pasante 60V 18.7 A (Ta) 81.1 W (Ta) PG-TO-220-3
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10 1.31900 $13.19
100 1.04240 $104.24
500 0.80842 $404.21
1,000 0.63822 $638.22

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPP18P06PHXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPP18P06PHXKSA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 60V 18.7 A (Ta) 81.1 W (Ta) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SPP18P06P H
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 60V P-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 130 mOhm a 13.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 81.1 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06P H
SPP18P06P H-ND
SPP18P06PH

16:58:11 11/13/2018