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SPP15P10PLHXKSA1 Canal P Orificio pasante 100V 15 A (Tc) 128 W (Tc) PG-TO-220-3
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPP15P10PLHXKSA1-ND
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Cantidad disponible 531
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPP15P10PLHXKSA1

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Descripción MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
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Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 15 A (Tc) 128 W (Tc) PG-TO-220-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SPP15P10PL H
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model
MOSFET OptiMOS™ 100V P-Channel Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 11.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 1.54 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1490pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 128 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000683162
SPP15P10PL H
SPP15P10PL H-ND
SPP15P10PLH
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.94000 $1.94
10 1.71700 $17.17
100 1.35690 $135.69
500 1.05230 $526.15
1,000 0.83076 $830.76

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04:23:44 9/25/2018