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SPP11N80C3XKSA1 Canal N Orificio pasante 800V 11 A (Tc) 156 W (Tc) PG-TO220-3-1
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPP11N80C3XKSA1-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPP11N80C3XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 11 A (Tc) 156 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos SPP11N80C3
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 800V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 450 mOhm a 7.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 680 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 85nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000683158
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3IN-ND
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.49000 $3.49
10 3.16300 $31.63
100 2.57670 $257.67
500 2.04326 $1,021.63
1,000 1.72320 $1,723.20
Tarifa arancelaria aplicada ?

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13:53:19 9/22/2018