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SPP07N60C3XKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 7.3 A (Tc) 83 W (Tc) PG-TO220-3-1
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10 2.30900 $23.09
100 1.85530 $185.53
500 1.44298 $721.49
1,000 1.19561 $1,195.61

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPP07N60C3XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPP07N60C3XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 7.3 A (Tc) 83 W (Tc) PG-TO220-3-1

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Documentos y medios
Hojas de datos SPP/SPI/SPA07N60C3
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ PowerMOSFET 600V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 4.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 350 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 790pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3IN-ND
SPP07N60C3X
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XTIN-ND

17:47:05 10/23/2018