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SPD30P06PGBTMA1 Canal P Montaje en superficie 60V 30 A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3
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1 1.75000 $1.75
10 1.55400 $15.54
100 1.22830 $122.83
500 0.95258 $476.29
1,000 0.75204 $752.04

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPD30P06PGBTMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPD30P06PGBTMA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 30 A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 75mOhm a 21.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1535pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SPD30P06P GCT
SPD30P06P GCT-ND
SPD30P06PGBTMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SPD30P06PGBTMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.68145
  • Digi-Reel® ? : SPD30P06PGBTMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,615 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

13:19:53 4/21/2019