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SPD09P06PLGBTMA1 Canal P Montaje en superficie 60V 9.7 A (Tc) 42 W (Tc) PG-TO252-3
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10 0.89200 $8.92
100 0.68830 $68.83
500 0.50986 $254.93
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPD09P06PLGBTMA1CT-ND
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Número de pieza del fabricante

SPD09P06PLGBTMA1

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Descripción MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 9.7 A (Tc) 42 W (Tc) PG-TO252-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm a 6.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 450pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 42 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SPD09P06PL GCT
SPD09P06PL GCT-ND
SPD09P06PLGBTMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SPD09P06PLGBTMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
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20:37:45 1/18/2019