Agregar a favoritos
SPD06N80C3ATMA1 Canal N Montaje en superficie 800V 6 A (Ta) 83 W (Tc) PG-TO252-3
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.10000 $2.10
10 1.90900 $19.09
100 1.55560 $155.56
500 1.23452 $617.26
1,000 1.04190 $1,041.90
Tarifa arancelaria aplicada ?

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPD06N80C3ATMA1CT-ND
Copiar   SPD06N80C3ATMA1CT-ND
Cantidad disponible 5,000
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

SPD06N80C3ATMA1

Copiar   SPD06N80C3ATMA1
Descripción MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
Copiar   MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 800V 6 A (Ta) 83 W (Tc) PG-TO252-3

Copiar   Canal N Montaje en superficie 800V 6 A (Ta) 83 W (Tc) PG-TO252-3
Documentos y medios
Hojas de datos SPD06N80C3
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 800V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 900 mOhm a 3.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 785pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • FCD850N80Z - ON Semiconductor | FCD850N80ZCT-ND DigiKey Electronics
  • FCD850N80Z
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  • Precio unitario $2.51000
  • FCD850N80ZCT-ND
  • REF5025MDTEP - Texas Instruments | 296-27641-1-ND DigiKey Electronics
  • REF5025MDTEP
  • Texas Instruments
  • IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC
  • Precio unitario $11.42000
  • 296-27641-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SPD06N80C3ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SPD06N80C3ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 2,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.94922
  • Digi-Reel® ? : SPD06N80C3ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

19:13:56 11/13/2018