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SPB80P06PGATMA1 Canal P Montaje en superficie 60V 80 A (Tc) 340W (Tc) PG-TO263-3-2
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.31000 $3.31
10 2.97500 $29.75
25 2.81240 $70.31
100 2.24980 $224.98
250 2.12484 $531.21
500 1.99984 $999.92

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SPB80P06PGATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.71236
  • Digi-Reel®  : SPB80P06PGATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 964 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SPB80P06PGATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SPB80P06PGATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SPB80P06PGATMA1
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Descripción MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 80 A (Tc) 340W (Tc) PG-TO263-3-2

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Documentos y medios
Hojas de datos SPB80P06P G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23mOhm a 64A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 5.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 173nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5033pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 340W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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