USD
Favorito

SPB17N80C3ATMA1 Canal N Montaje en superficie 800V 17 A (Tc) 227W (Tc) PG-TO263-3-2
Precio y compra
7,852 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.89000 $3.89
10 3.49200 $34.92
25 3.30080 $82.52
100 2.64080 $264.08
250 2.49408 $623.52
500 2.34736 $1,173.68

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SPB17N80C3ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 7,852 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.00993
  • Digi-Reel®  : SPB17N80C3ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,852 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SPB17N80C3ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SPB17N80C3ATMA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante SPB17N80C3ATMA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 800V 17 A (Tc) 227W (Tc) PG-TO263-3-2

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos SPB17N80C3
SPP,SPB,SPA17N80C3
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Cambio de estado de la pieza PCN Mult Dev Wafer/MPN Chgs 17/May/2018
Hoja de datos de HTML SPP,SPB,SPA17N80C3
SPB17N80C3
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 800V C3 Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 177nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 227W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SPB17N80C3ATMA1CT
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3INCT-ND
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3XTINCT-ND