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SPA15N60C3XKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 15 A (Tc) 34 W (Tc) PG-TO220-FP
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10 3.36100 $33.61
100 2.75630 $275.63
500 2.23192 $1,115.96
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SPA15N60C3XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SPA15N60C3XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 15 A (Tc) 34 W (Tc) PG-TO220-FP

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Documentos y medios
Hojas de datos SPP/SPI/SPA15N60C3
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Modelos de simulación CoolMOS™ PowerMOSFET 600V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 280 mOhm a 9.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.9 V a 675 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1660pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 34 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  • Precio unitario $3.92000
  • SPP15N60C3XKSA1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000216325
SPA15N60C3
SPA15N60C3IN
SPA15N60C3IN-ND
SPA15N60C3XK

14:43:02 12/18/2018