Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLSL4030PBF-ND
Cantidad disponible 426
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLSL4030PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 180 A (Tc) 370 W (Tc) TO-262

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11360pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3 mOhm a 110 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-262
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001558626

04:34:37 2/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.23000 $6.23
10 5.56100 $55.61
100 4.55980 $455.98
500 3.69236 $1,846.18
1,000 3.11403 $3,114.03

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario