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IRLS4030TRLPBF Canal N Montaje en superficie 100V 180 A (Tc) 370W (Tc) D2PAK
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.58000 $3.58
10 3.21900 $32.19
25 3.04320 $76.08
100 2.43450 $243.45
250 2.29924 $574.81

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  • Cinta y rollo (TR)  : IRLS4030TRLPBFTR-ND
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  • Digi-Reel®  : IRLS4030TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 955 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLS4030TRLPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLS4030TRLPBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 180 A (Tc) 370W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLS(L)4030PBF
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Modelos de simulación IRLS_SL4030PBF Spice Model
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3mOhm a 110A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11360pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 370W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IRLS4030TRLPBFCT