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IRLR8726TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 86 A (Tc) 75 W (Tc) D-Pak
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10 0.53200 $5.32
100 0.40440 $40.44
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLR8726TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLR8726TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 86 A (Tc) 75 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 86 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.8 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.35 V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2150pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 75 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRLR8726TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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14:35:47 2/21/2019