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IRLR3636TRPBF Canal N Montaje en superficie 60V 50 A (Tc) 143 W (Tc) D-Pak
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1 1.93000 $1.93
10 1.75600 $17.56
100 1.43090 $143.09
500 1.13562 $567.81
1,000 0.95844 $958.44
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLR3636TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLR3636TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 50 A (Tc) 143 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.8 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3779pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 143 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRLR3636TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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12:16:06 11/19/2018