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IRLR3410TRPBF Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Tc) 79W (Tc) D-Pak
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.93000 $0.93
10 0.83400 $8.34
25 0.79120 $19.78
100 0.59350 $59.35
250 0.58788 $146.97
500 0.50308 $251.54
1,000 0.40981 $409.81
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  • Cinta y rollo (TR)  : IRLR3410PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
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  • Digi-Reel®  : IRLR3410PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 8,793 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLR3410TRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.39239
  • Cinta cortada (CT)  : IRLR3410TRLPBFCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,407 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.93000
  • Digi-Reel®  : IRLR3410TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,407 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLR3410TRRPBF-ND
  • Cantidad mínima: 3,000  Agotado 
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.39239
  • Tubo  : IRLR3410PBF-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado 
  • Cantidad disponible: 8 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.16000

IRLR3410TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRLR3410PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLR3410TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 17 A (Tc) 79W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLR/U3410PbF
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 105mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34nC @ 5V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 79W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRLR3410TRPBF
IRLR3410PBFCT