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IRLR120NTRPBF Canal N Montaje en superficie 100V 10 A (Tc) 48 W (Tc) D-Pak
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1 1.07000 $1.07
10 0.95400 $9.54
100 0.76520 $76.52
500 0.60474 $302.37
1,000 0.48802 $488.02
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLR120NPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLR120NTRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 10 A (Tc) 48 W (Tc) D-Pak

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 185 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 440pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 48 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRLR120NTRPBF
IRLR120NPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLR120NPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,000
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,644 - Inmediata
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02:49:01 12/12/2018