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IRLR024NTRPBF Canal N Montaje en superficie 55V 17 A (Tc) 45 W (Tc) D-Pak
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1 1.09000 $1.09
10 0.95700 $9.57
100 0.74860 $74.86
500 0.56620 $283.10
1,000 0.46195 $461.95
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLR024NPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLR024NTRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 55V 17 A (Tc) 45 W (Tc) D-Pak

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65 mOhm a 10 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 480pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres *IRLR024NTRPBF
IRLR024NPBFCT
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10:05:48 12/15/2018