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IRLMS2002TRPBF Canal N Montaje en superficie 20V 6.5 A (Ta) 2 W (Ta) Micro6™(SOT23-6)
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1 0.69000 $0.69
10 0.60000 $6.00
100 0.46280 $46.28
500 0.34284 $171.42
1,000 0.27428 $274.28

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLMS2002PBFCT-ND
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IRLMS2002TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 6.5 A (Ta) 2 W (Ta) Micro6™(SOT23-6)

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 6.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22nC @ 5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1310pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro6™(SOT23-6)
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRLMS2002TRPBF
IRLMS2002PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLMS2002PBFTR-ND
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22:45:59 11/13/2018