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IRLML9301TRPBF Canal P Montaje en superficie 30V 3.6 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.36000 $0.36
10 0.29000 $2.90
25 0.26480 $6.62
100 0.16630 $16.63
500 0.15400 $77.00
1,000 0.10472 $104.72
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML9301TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 36,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.10041
  • Digi-Reel®  : IRLML9301TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 38,318 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML9301TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRLML9301TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLML9301TRPBF
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Descripción MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 3.6 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 64mOhm a 3.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 388pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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