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IRLML6346TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 3.4 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.41000 $0.41
10 0.30500 $3.05
25 0.27520 $6.88
100 0.14500 $14.50
250 0.14352 $35.88
500 0.12850 $64.25
1,000 0.10000 $100.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML6346TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 51,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09150
  • Digi-Reel®  : IRLML6346TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 52,119 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML6346TRPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Descripción MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 3.4 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLML6346TRPBF
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 63mOhm a 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.1V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 270pF @ 24V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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