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IRLML6344TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 5 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.42000 $0.42
10 0.34100 $3.41
25 0.31160 $7.79
100 0.19580 $19.58
250 0.19356 $48.39
500 0.18126 $90.63
1,000 0.12325 $123.25

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML6344TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 24,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.11818
  • Digi-Reel®  : IRLML6344TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 24,613 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML6344TRPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLML6344TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 5 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 29mOhm a 5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 650pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar 1
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