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IRLML6302TRPBF Canal P Montaje en superficie 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Micro3™/SOT-23
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.35000 $0.35
10 0.28700 $2.87
25 0.26240 $6.56
100 0.16470 $16.47
500 0.15250 $76.25
1,000 0.10370 $103.70

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  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML6302PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Digi-Reel®  : IRLML6302PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 183 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML6302TRPBF

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Fabricante

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Descripción MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Micro3™/SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLML6302PbF
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 780mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 610mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.6nC @ 4.45V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 97pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres *IRLML6302TRPBF
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IRLML6302PBFCT