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IRLML6302TRPBF Canal P Montaje en superficie 20V 780 mA (Ta) 540 mW (Ta) Micro3™/SOT-23
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1 0.53000 $0.53
10 0.41800 $4.18
100 0.29130 $29.13
500 0.20404 $102.02
1,000 0.15646 $156.46
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLML6302PBFCT-ND
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Número de pieza del fabricante

IRLML6302TRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 780 mA (Ta) 540 mW (Ta) Micro3™/SOT-23

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 780 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.7V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 610mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 3.6nC @ 4.45V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 97pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 540 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres *IRLML6302TRPBF
IRLML6302GTRPBFCT
IRLML6302GTRPBFCT-ND
IRLML6302PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLML6302PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 96,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.14035
  • Digi-Reel® ? : IRLML6302PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 96,845 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:42:10 3/22/2019