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IRLML5203TRPBF Canal P Montaje en superficie 30V 3 A (Ta) 1.25W (Ta) Micro3™/SOT-23
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10 0.36900 $3.69
100 0.25150 $25.15
500 0.18862 $94.31
1,000 0.14146 $141.46

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLML5203TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLML5203TRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 3 A (Ta) 1.25W (Ta) Micro3™/SOT-23

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRLML5203GTRPBFCT
IRLML5203GTRPBFCT-ND
IRLML5203TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLML5203TRPBFTR-ND
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17:49:47 8/17/2019