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IRLML5103TRPBF Canal P Montaje en superficie 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Micro3™/SOT-23
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.35000 $0.35
10 0.28500 $2.85
25 0.26040 $6.51
100 0.16360 $16.36
250 0.16180 $40.45
500 0.15150 $75.75
1,000 0.10302 $103.02
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML5103PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.09878
  • Digi-Reel®  : IRLML5103PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML5103TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRLML5103PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLML5103TRPBF
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Descripción MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Micro3™/SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLML5103PbF
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 760mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600mOhm a 600mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 75pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 540mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRLML5103TRPBF
IRLML5103GTRPBFCT
IRLML5103GTRPBFCT-ND
IRLML5103PBFCT