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IRLML5103TRPBF Canal P Montaje en superficie 30V 760 mA (Ta) 540 mW (Ta) Micro3™/SOT-23
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10 0.36500 $3.65
100 0.25020 $25.02
500 0.17158 $85.79
1,000 0.12868 $128.68

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLML5103PBFCT-ND
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IRLML5103TRPBF

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Descripción MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 760 mA (Ta) 540 mW (Ta) Micro3™/SOT-23

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 760 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 600 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 75pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 540 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRLML5103TRPBF
IRLML5103GTRPBFCT
IRLML5103GTRPBFCT-ND
IRLML5103PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLML5103PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 21,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.11453
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 23,050 - Inmediata
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06:36:26 11/15/2018