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IRLML0060TRPBF Canal N Montaje en superficie 60V 2.7 A (Ta) 1.25W (Ta) Micro3™/SOT-23
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.36700 $3.67
25 0.33560 $8.39
100 0.21060 $21.06
500 0.19500 $97.50
1,000 0.13260 $132.60
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML0060TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 114,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12714
  • Digi-Reel®  : IRLML0060TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 115,921 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML0060TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRLML0060TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLML0060TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 2.7 A (Ta) 1.25W (Ta) Micro3™/SOT-23

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLML0060TRPBF
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 92mOhm a 2.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Infineon Technologies

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Envase estándar 1
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