IRLML0060TRPBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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Información general del producto

Número de pieza de Digi-Key	IRLML0060TRPBFCT-ND	Copiar
Cantidad disponible	202,290 Disponible para envío inmediato
Fabricante	Infineon Technologies	Copiar
Número de pieza del fabricante	IRLML0060TRPBF	Copiar
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3	Copiar
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60V 2.7 A (Ta) 1.25 W (Ta) Micro3™/SOT-23	Copiar

Documentos y medios

Hojas de datos	IRLML0060TRPBF
Otros documentos relacionados	Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Recursos de diseño	IRLML0060TRPBF Saber Model
Producto destacado	Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN	Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Assembly Site Addition 13/Mar/2015
Embalaje de PCN	Package Drawing Update 19/Aug/2015 Packing Material Update 16/Sep/2016 Barcode Label Update 24/Feb/2017 Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Modelos de simulación	IRLML0060TRPBF Spice Model

Atributos del producto	Seleccionar todos
Categorías	Productos semiconductores discretos
Categorías	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Empaquetado	Cinta cortada (CT)
Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC	2.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C	92 mOhm a 2.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id	2.5 V a 25 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	290pF @ 25V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (máx.)	1.25 W (Ta)
Temperatura de operación	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3