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IRLML0030TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 5.3 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.38000 $0.38
10 0.30600 $3.06
25 0.27960 $6.99
100 0.17550 $17.55
250 0.17356 $43.39
500 0.16250 $81.25
1,000 0.11050 $110.50
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLML0030TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 15,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.10595
  • Digi-Reel®  : IRLML0030TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 16,317 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLML0030TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRLML0030TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLML0030TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 5.3 A (Ta) 1.3W (Ta) Micro3™/SOT-23

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27mOhm a 5.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 382pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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