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IRLML0030TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 5.3 A (Ta) 1.3 W (Ta) Micro3™/SOT-23
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10 0.40400 $4.04
100 0.27760 $27.76
500 0.19034 $95.17
1,000 0.14276 $142.76

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLML0030TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLML0030TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 5.3 A (Ta) 1.3 W (Ta) Micro3™/SOT-23

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 27 mOhm a 5.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.3 V a 25 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 382pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Micro3™/SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRLML0030TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLML0030TRPBFTR-ND
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 488 - Inmediata
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22:10:24 11/20/2018