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IRLL3303TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 4.6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-223
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1 1.10000 $1.10
10 0.96800 $9.68
100 0.75680 $75.68
500 0.57236 $286.18
1,000 0.46698 $466.98
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLL3303PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLL3303TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 4.6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-223

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 31mOhm a 4.6A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 50nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 840pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres *IRLL3303TRPBF
IRLL3303PBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLL3303PBFTR-ND
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19:23:44 4/23/2019