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IRLL024ZTRPBF Canal N Montaje en superficie 55V 5 A (Tc) 1 W (Ta) SOT-223
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1 0.82000 $0.82
10 0.72800 $7.28
100 0.56950 $56.95
500 0.43080 $215.40
1,000 0.35149 $351.49
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLL024ZTRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLL024ZTRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 55V 5 A (Tc) 1 W (Ta) SOT-223

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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11nC @ 5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 380pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRLL024ZTRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLL024ZTRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 25,000 - Inmediata
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14:09:35 10/23/2018