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IRLL024NTRPBF Canal N Montaje en superficie 55V 3.1 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-223
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1 1.03000 $1.03
10 0.90600 $9.06
100 0.70800 $70.80
500 0.53542 $267.71
1,000 0.43686 $436.86
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLL024NPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLL024NTRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 55V 3.1 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLL024NPbF
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Embalaje de PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65 mOhm a 3.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15.6nC @ 5V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 510pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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12:09:24 11/14/2018