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IRLL014NTRPBF Canal N Montaje en superficie 55V 2 A (Ta) 1W (Ta) SOT-223
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.64000 $0.64
10 0.56100 $5.61
25 0.52680 $13.17
100 0.38240 $38.24
250 0.36880 $92.20
500 0.31950 $159.75
1,000 0.27192 $271.92
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLL014NPBFTR-ND
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  • Precio unitario: $0.24750
  • Digi-Reel®  : IRLL014NPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,628 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLL014NTRPBF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLL014NTRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 55V 2 A (Ta) 1W (Ta) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLL014NPbF
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Embalaje de PCN Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Modelos de simulación IRLL014N Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 140mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 230pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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