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IRLHM630TRPBF Canal N Montaje en superficie 30V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
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1 1.15000 $1.15
10 1.02400 $10.24
100 0.82110 $82.11
500 0.64888 $324.44
1,000 0.52364 $523.64
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLHM630TRPBFCT-ND
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Cantidad disponible 4,102
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLHM630TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc)

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.5mOhm a 20A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.1V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3170pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 8-VQFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRLHM630TRPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRLHM630TRPBFTR-ND
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  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 4,102 - Inmediata
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06:17:45 5/23/2019