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IRL7472L1TRPBF Canal N Montaje en superficie 40V 375 A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) DIRECTFET L8
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.79000 $3.79
10 3.40300 $34.03
25 3.21760 $80.44
100 2.57400 $257.40
250 2.43100 $607.75
500 2.28800 $1,144.00
1,000 1.95910 $1,959.10

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRL7472L1TRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 4,000
  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.93050
  • Digi-Reel®  : IRL7472L1TRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,508 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRL7472L1TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRL7472L1TRPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRL7472L1TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 40V 375A
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 375 A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) DIRECTFET L8

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Documentos y medios
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie StrongIRFET™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 375 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 0.59mOhm a 195A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 330nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20082pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET L8
Paquete / Caja (carcasa) L8 isométrico DirectFET™
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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